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太陽能概念股
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數據分析
全球太陽能裝置地區比重 |
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全球太陽能矽晶片生產國 |
全球太陽能光電材料比重 |
全球太陽光電產品類型市占率 |
全球多晶矽廠商市佔率 |
全球矽晶片廠商市占率 |
全球薄膜太陽能模組市佔率 |
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相關分析
太陽電池構造與發電原理
併聯型(Grid- Connected)太陽光電系統
緊急防災型(獨立與併聯混合型)太陽光電系統
獨立型(Stand-Alone)太陽光電系統
太陽能電池比較表
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單晶 |
多晶 |
複合型 |
非晶系 |
銅銦鎵硒 |
有機系 |
其他化合物半導體 |
主要原料 |
c-Si |
poly-Si |
GaAs / InP |
a-Si/a-SiC/ |
CuInSe2 |
TiO2/Dye |
CdTe |
電池轉換效率 |
14%~24% |
11%~17% |
18%~40% |
8%~13% |
10%~12% |
7% |
10%~12% |
模組轉換效率 |
10%~16% |
9%~12% |
10%~25% |
6%~9% |
8%~10% |
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8%~10% |
每瓦成本 |
3美元 |
2.8美元 |
大於10美元 |
1.2美元 |
約0.6美元 |
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主要應用領域 |
陸地和太空電力 |
陸地電力 |
大陸地電力 |
陸地消費性電力 |
陸地消費性電力 |
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陸地消費性電力 |
能源回收期 |
2.1年 |
2.3年 |
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1.6年 |
大於6個月 |
大於1年 |
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優點 |
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缺點 |
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需使用複雜且昂貴的追蹤系統。 |
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矽薄膜與化合物半導體薄膜太陽能電池比較表
矽薄膜 Amorphous |
化合物半導體 | ||
CdTe | CIGS | ||
主要原料 | 矽 | 碲、鎘化合物 | 銅、銦、鎵、硒化合物 |
原料特性 | 主要原料為矽甲烷,使用量少且供應無虞。 |
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常用的成膜技術 |
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濺鍍法(sputtering) |
光吸收能力 | 可吸收的光譜有限 | 吸光範圍較廣 | 吸光範圍較廣 |
吸光頻率範圍 | 1.1 eV ~1.7eV | 1.45eV | 1.02 eV ~1.68eV |
光吸收層厚度 | 0.2~0.5μm | 1μm | <1μm |
商用轉換效能 | 5%~8% | 8.5%~10.5% | 10%~12% |
發電穩定性 | 有光衰竭現象,穩定性較差,可透過Tandem技術改善。 | 無光衰竭現象,穩定性較好。 | 無光衰竭現象,穩定性較好。 |
全球主要國家政策及推廣概況
國家 |
概況說明 |
中國大陸 |
.2013年新增安裝量10.8GW |
美國 |
.2013年底,SEIA協會發表聲明,希望聯邦政府的投資稅賦抵減,在2016年後仍可持續 |
德國 |
.2013年新增安裝量為3.4GW;2014年目標為2.9GW |
日本 |
.自電自用的住宅屋頂太陽能系統備受重視 |
義大利 |
.2013年6月宣布停止太陽能光電補貼申請 |
法國 |
.強化再生能源推展 |
印度 |
.目標2022年安裝量達到22GW,2030年安裝量達到100GW;2050年達到200GW |
大陸太陽能發電十二五規劃安裝量
發電類別 | 2010年 | 2015年 | 2020年 |
規模 | 規劃建設規模 | 規劃建設規模 | |
1.太陽能電站
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450MW 450MW 0 |
11GW 10HW 1GW |
23GW 20GW 3GW |
2.分布式光伏發電系統 | 410MW | 10GW | 27GW |
合計 | 860MW | 21GW | 50GW |
大陸『金太陽』計畫
安裝量 | 說明 | |
2009年 | 624MW | 2~3年完工檢驗 民營企業為主 |
2010年 | 272MW | 1年完工檢驗 民營企業為主 |
2011年 | 600MW | 1年完工檢驗 民營企業為主 |
2012年 | 800~1,000MW | 1年完工檢驗 五大電廠及國營企業為主 |