金屬氧化半導體

由金屬層，氧化層，及半導體層三層厚度不等的材質依順序堆疊所產生。MOS是利用在半導體的電場感應以夠控制電流大小的元件，本身是電容器。常用的MOS元件裡，矽是最主要的半導體層來源，也就是所謂的矽晶片本身；氧化層，以二氧化矽為取最常見的材料；金屬層，是利用氣相沉積方式製作出。

MOS又可依半導體材料又可區分為N型MOS及P型MOS，NMOS是使用電子來傳電流，PMOS是使用電洞來傳輸電流。