環宇通訊半導體控股股份有限公司

(一)公司簡介

1.沿革與背景

環宇通訊半導體控股股份有限公司於2010年11月30日在開曼群島設立，總部位於美國加州，主要從事砷化鎵/磷化銦/氮化鎵高階射頻代工及光電元件化合物半導體晶圓製造代工、相關智慧財產權授權與自有光電產品之研究、開發、製造及銷售業務，為美國在射頻和光電元件晶圓領域裡之技術領導者和唯一純專業晶圓製造廠。2012年3月30日登錄興櫃，2014年9月15日轉上櫃。

2.營業項目與產品結構

公司從事自有品牌光電產品之研究、開發、製造及銷售和射頻及電力電子元件和光電元件晶圓代工，提供從產品概念、技術研究與開發、產品試產到量產的全方位服務。除了自有製程技術外，公司亦針對IDM廠提供整廠輸入服務，包含製程技術的轉移、驗證、產品試產到量產的服務。

2023年營收比重為射頻元件晶圓代工42%、光電元件晶圓代工18%、自有光電元件產品(KGD)40%。

(二)產品與競爭條件

1.產品與技術簡介

(1)射頻元件晶圓代工
以砷化鎵、磷化銦及氮化鎵為晶圓材料，提供射頻元件和電力電子之晶圓代工，主要應用於無線通訊產品的射頻電路，特別在無線通訊基地台、手機及衛星航太和國防所使用之高階射頻元件(如功率放大器和濾波器)和電力電子功率元件(應用於電動車、充電站及快充等等)。

(2)光電元件晶圓代工
以砷化鎵、磷化銦為晶圓材料，提供光電元件晶圓，主要應用於光通訊、醫學、穿戴式裝置、汽車雷達及工業用途。

(3)自有品牌光電元件產品(KGD)
包括砷化鎵(GaAs)、砷化銦鎵(InGaAs)光探測器(PIN PD)、非氣密性封裝正面耦光式探測器(Non-hermetic PIN PD)、背面耦光式(Backside illuminated)探測器、雷射二極體(Lasor Diode)、垂直腔表面發射雷射(VCSEL)、砷化銦鎵(InGaAs)雪崩式光探測器(APD)等；可應用於155 Mbps、10 Gbps、25 Gbps、50 Gbps、100 Gbps、200 Gbps、400 Gbps、800 Gbps和1,600 Gbps光通訊領域以及汽車雷達和穿戴式裝置。

2.重要原物料

公司產品主要原料為磊晶晶圓片。

3.主要生產據點

公司生產基地位於美國加州，主要生產4吋晶圓。

(三)市場銷售及競爭

1.銷售狀況

2023年銷售區域比重為美國40%、大陸41%、台灣3%、其他16%。

2.國內外競爭廠商

砷化鎵晶圓代工競爭對手包括Triquint、穩懋、聯穎與宏捷科。

光電元件晶圓製造工廠，包括Bandwidth Semiconductors、Compound Semiconductor Technologies Globale Ltd.、 Avanex、Sarnoff和Canadian Photonics Fabrication Center等業者。

(四)財務相關

1.子公司

(1)Global Communication Semiconductors, LLC
集團之營運主體。

(2)D-Tech Optoelectronics, Inc.
2017年7月以現金1,300萬美元(約新台幣3.9億元)併購之美國光通訊IC設計公司100%股權，並間接取得其子公司迪特光電股份有限公司100%股權。

(3)迪特光電股份有限公司
從事光電元件封裝、電信器材及電子零組件之製造、批發及銷售。

(4)環翔科技有限公司
2015年4月在台灣成立百分之百持股之子公司，做為光電元件事業的平台。

(5)宇通半導體科技股份有限公司
2019年2月22日設立，主要從事電子零組件批發零售、產品製造及提供委外代工管理服務。

2.轉投資相關

2019年12月公告與晶電旗下子公司晶品光電(常州)及其他專業投資法人，共同投資成立常州新晶宇光電有限公司，該公司主要從事化合物半導體無線射頻6吋晶圓代工以及光電6吋晶圓代工等業務。2020年8月更名為常州承芯半導體有限公司。

2021年投資上海宙鎵光電有限公司，投資目的係為拓展光電元件生產與銷售。

3.合作案

2019年1月與晶電簽署策略合作協議書，環宇將與每股10元，取得晶電旗下100%轉投資公司晶成半導體股份有限公司的16.4%股權。交易完成後環宇成為晶成第二大股東，晶成亦開始為環宇提供6吋晶圓代工服務。